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摘要:
推荐文章
SOI SRAM测试研究
绝缘体上硅(SOI)
部分耗尽(PD)
静态存储器
故障模型
测试码
基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DG SOI建模与仿真
PSP-SOI
BSIM-IMG
HiSIM-SOTB
双栅
MOSFET
直流特性
基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
正则摄动
二维
表面势
亚阈值
短沟道SOI
MOSFETs
部分P/N埋层的高压SOI LDMOS研究
击穿电压
导通电阻
部分埋层
绝缘衬底硅
横向双扩散金属氧化物半导体
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 SOI/SIMNI和SOI/SIMOX氧化特性的研究
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 SOI/SIMNI SOI/SIMOX 氧化特性
年,卷(期) 1989,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-7
页数 4页 分类号 TN304
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
SOI/SIMNI
SOI/SIMOX
氧化特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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