基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长
异质外延
InP
GaAs
MOCVD
低温缓冲层
温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响
光电子学
有机金属化学气相沉积
光子晶体
人工欧泊
温度
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料
窄条宽选区生长
MOCVD
InP系材料
速率增强因子
等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜
ZnO薄膜
光荧光
原子力显微镜(AFM)
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 利用等离子MOCVD法生长InP晶体
来源期刊 光纤通信技术 学科 工学
关键词 MOCVD法 等离子 InP晶体
年,卷(期) 1989,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 34-38
页数 5页 分类号 TN304.22
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1989(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
MOCVD法
等离子
InP晶体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光纤通信技术
月刊
武汉市洪山区邮科院路88号
出版文献量(篇)
1130
总下载数(次)
10
总被引数(次)
0
论文1v1指导