CMOS／BESOI器件的电离辐照特性

• 作者: 严荣良 高剑侠
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS BESOI 电离辐照 微电子器件
• 年，卷（期）: 1996,（1）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN389

摘要

采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。