作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
GaN薄膜
MOCVD
同质外延
MOCVD法侧向外延生长高质量GaN
GaN
侧向外延
穿透位错
侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察
氮化镓
侧向外延生长
金属有机化学气相沉积
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 高质量AlN,GaN外延生长
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 ALN GAN 外延生长
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-6
页数 2页 分类号 TN304.054
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1996(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体
ALN
GAN
外延生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
总下载数(次)
1
总被引数(次)
0
论文1v1指导