Hg1-xCdxTe中杂质对及双空位深能级的研究

• 作者: 介万奇 刘俊诚 刘晓华
• 来源期刊: 航空学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: Hg1-xCdxTe 深能级 杂质对 双空位
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 62-67
• 页数: 6页
• 分类号: V252.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6893.1998.01.013

摘要

以A.Kobayashi等的半经验紧束缚模型和Hjalmarson-Vogh-Wolford-Dow深能级理论为基础,计算了Hg1-xCdxTe中阳离子位替代式杂质(包括N,O,C)与最近邻替代式杂质形成sp3键杂质对后阳离子位杂质A1对称性深能级的变化以及最近邻理想双空位(Vc,Va)的深能级.计算结果表明:阳离子位杂质A1能级的变化取决于与其配对杂质的电负性,杂质对a1能级组分依赖关系dE/dx小于阳离子位单杂质A1能级的dE/dx,大于阴离子位单杂质T2能级的dE/dx,不同杂质对的dE/dx基本相同;理想双空位(Vc,Va)在能隙或近能隙区域产生一个a1态深能级,该能级的dE/dx很小,对于CdTe,位置在0.5eV,对于x＜0.37的Hg1-xCdxTe,该能级成为导带共振态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	刘晓华	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
3	刘俊诚	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0