低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能

• 作者: 刘宏宇 杨柏梁 王刚 赵超 黄锡珉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 衬底温度 溅射功率 方块电阻 透过率 真空退火
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN14
• 字数: 2525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.005

摘要

研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的 ITO 薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150～200Ω/□之间, 并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王刚	中国科学院长春物理研究所	164	1405	19.0	32.0
3	黄锡珉	中国科学院长春物理研究所	39	413	11.0	19.0
7	杨柏梁	中国科学院长春物理研究所	12	90	7.0	9.0
13	刘宏宇	中国科学院长春物理研究所	1	28	1.0	1.0
17	赵超	吉林大学电子工程系	7	54	4.0	7.0