C-H-N体系生长金刚石薄膜

• 作者: 万永中 何贤昶 张卫 张志明 沈荷生 王季陶
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 含氮气源 相图 化学气相淀积
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 840-846
• 分类号: TQ163
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.002

摘要

通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志明	上海交通大学微电子研究所	46	553	15.0	21.0
2	沈荷生	上海交通大学微电子研究所	45	494	12.0	20.0
3	何贤昶	上海交通大学微电子研究所	25	247	8.0	15.0
4	万永中	上海交通大学微电子研究所	9	70	5.0	8.0
5	张卫	上海复旦大学电子工程系	1	4	1.0	1.0
6	王季陶	上海复旦大学电子工程系	1	4	1.0	1.0