InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究

• 作者: 徐仲英 李晴 葛惟昆
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超快光谱 低维结构 Ⅲ-Ⅴ簇半导体
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 343-346
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.05.005

摘要

用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs 量子点中载流子快速俘获和弛豫过程.在瞬态反射谱测量中,除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为lps),还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程.提出了一个物理模型,表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关,并由此得到载流子的俘获时间,俘获时间随载流子浓度增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛惟昆	香港科技大学物理系	14	37	4.0	5.0
2	徐仲英	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
3	李晴	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	6	73	4.0	6.0