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文献信息
| 篇名 | 硅衬底上碳化缓冲层对生长SiC的影响 | ||
| 来源期刊 | 电子材料快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 碳化硅 硅 生长 碳化缓冲层 | ||
| 年，卷（期） | dzclkb_2000,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 15-16 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.24 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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碳化硅
硅
生长
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期刊影响力
电子材料快报
主办单位：
天津电子材料研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
576
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