低温生长SiC薄膜衬底碳化研究

• 作者: 张志勇 戴琨 王雪文 赵武 邓周虎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 碳化
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.012

摘要

讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和俄歇电子能谱(AES)等分析手段,对衬底碳化进行研究.并对典型工艺条件(钨丝温度2 000℃,衬底温度800℃,衬底碳化时间5 min)下制备的样品的碳化层进行分析,得出其厚度约为20 nm,由富C的3C-SiC层,3C-SiC层和含C的Si层组成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	西北大学电子科学系	98	759	13.0	22.0
2	邓周虎	西北大学电子科学系	39	330	9.0	16.0
3	王雪文	西北大学电子科学系	45	408	11.0	18.0
4	赵武	西北大学电子科学系	29	269	8.0	15.0
5	戴琨	西北大学电子科学系	6	20	3.0	4.0