ULSI 制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究

• 作者: 刘玉岭 刘立威 李志 檀柏梅
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 ULSI 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 415-418
• 页数: 4页
• 分类号: TG146
• 字数: 3461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.06.004

摘要

对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题,并实现了技术突破.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	刘立威	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
4	李志	河北工业大学微电子研究所	1	8	1.0	1.0