基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响

• 作者: 王世敏 王龙海 黄桂玉
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: 基片和底电极 KTN薄膜 溶胶-凝胶(Sol-Gel) 钙钛矿结构与取向
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 183-185
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2000.03.014

摘要

研究了用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在不同基片和底电极上制备KTN薄膜的结构,发现基片和底电极的结构及化学稳定性直接影响到KTN薄膜的生成和结构.详细讨论了在MgO(100)、Si(100)、SiO2、Pt/Si、SnO2(Sb)/SiO2等基片与底电极上不能制得纯钙钛矿KTN薄膜的原因,对于不与KTN发生反应的基片,当基片的结构、晶格常数等与钙钛矿KTN越匹配,越有利于KTN的取向生长,并在SrTiO3(100、111)基片上制得纯钙钛矿、高取向甚至外延的KTN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王世敏	湖北大学压电陶瓷技术研究所	83	860	14.0	26.0
2	黄桂玉	湖北大学压电陶瓷技术研究所	9	4	1.0	2.0
3	王龙海	湖北大学压电陶瓷技术研究所	3	1	1.0	1.0