一种实用化的互补双极工艺技术

• 作者: 张正元 张正璠
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 互补双极工艺 双极工艺 半导体制造 半导体器件 运 算放大器
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.020

摘要

在3 μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB).利用此工艺制造出特征频率分别为3.2 GHz和1.6 GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200 V/μs的高速运算放大器芯片中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正元		2	15	2.0	2.0
2	张正璠		4	32	2.0	4.0