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微电子学2000年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 对优化超大规模集成(VLSI)缓冲器的功耗进行了研究.对于驱动较大负载,在满足缓冲器延迟限度范围内实现系统功耗的最小化,是提高VLSI缓冲器性能的关键问题之一.文章发展了关于缓冲器信号延迟、...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 对制作的Si1-xGex/Si多层异质外延结构进行了研究.并对其做了反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和扩展电阻(SR)等测量,给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管(...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 提出了一种诊断基于SRAM的FPGA的连线故障的方法,该方法通过六次编程可把任何FPGA连线资源的单故障定位到最佳精度;同时,证明了六次编程是定位FPGA连线资源单故障所需要的最少步数.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要：
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5. SFM001宽带放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要：
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 变换化简法是一种通过计算逻辑网络中门或连线处的最大允许函数集来消除网络中冗余门或连线的多级逻辑优化算法.文中提出了一种新的计算门处最大允许函数集的方法.该方法通过计算逻辑网络中门处的可观测性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 文中介绍了一种低成本、高可靠性的A/D转换器(ADC)转换精度的计算机辅助测试方法,并对测试系统的原理、结构及算法进行了描述.该方法适合于分辨率低于16位的逐次逼近型ADC的测试,对ADC的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 开关电流电路(SI)是近年兴起的一种模拟电路.丈中引用了新型的两步采样开关电流技术(S2I),对该电路中减小时钟馈漏效应的几种方法进行了分析.利用差分平衡结构的S2I存储单元设计了平衡S2I...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 利用有限元法计算分析了以阴极尖锥阵列体作为力敏感膜的形变特性,给出了用表达式计算尖锥阵列体形变的修正值,为后继工作提供了可以选择的技术途径.
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10. 高速线性反馈移位寄存器的实现刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 线性反馈移位寄存器(LFSR)被广泛用于扩频通信,内建自测试和数字加密等许多领域.文中针对这一类电路的物理实现,提出了利用动态双边沿触发器实现高速线性反馈移位寄存器的一种新型结构.在不增加电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 提出了一种采用ART神经元网络诊断子网络级故障的新方法.介绍交叉撕裂准则和ART神经元网络算法,给出用ART神经网络诊断子网络级故障的仿真示例.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法,以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系.在现有的实验条件下(四种γ脉冲辐射源,宽度分别为:～2ns,～20ns,～...
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13. 通用多层区域布线算法刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 文中提出了一种多用途的VLSI多层区域详细布线算法,该算法使用模拟进化技术进行拆线重布线,对单个线网使用改进型多层迷宫算法进行布线.实验结果证明,该算法能得到较好的布线.
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14. 水声高频微弱信号的程控测量刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 叙述了大动态弱信号测量的实现方法.程控放大器由低噪声电流反馈运算放大器构成,扩展了测量的频带.通过计算机对接收机增益进行智能化控制,既避免了放大器饱和,又使得采样的量化误差最小.由软件控制选...
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15. SBM002真对数放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要：
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16. 槽栅MOS器件的研究与进展刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 随着VLSI器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微米及亚0.1μm范围极具应用前景的理想结构被提了出来.文中介绍了槽栅器件提出的背景,论述了槽栅MOS器件的结构与特点,并就其发展现状...
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17. 低功耗CMOS逻辑电路设计综述刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 分析了CMOS逻辑电路的功耗来源,从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降低功耗的途径.讨论了深亚微米器件中亚阈值电流对功耗的影响以及减小亚阀值电流的措施,最后分析了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 文中详细分析了一种分辨率为SXGA的液晶显示器驱动电路的设计概要,介绍了其所使用的驱动方法--三级电压驱功方法、数据驱动器和扫描驱动器的结构及其功能,对在驱动中的灰度级产生方法进行了分析,并...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 在既定工艺条件下,改善电路性能可以通过改进电路、采用不同的时钟技术以及调整电路的器件尺寸来实现;改进电路,可以提高电路速度,减小或消除时钟偏差问题;选择适当的时钟技术,能够满足功耗、速度或可...
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20. 一种视频格式转换电路的设计与实现刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 使用三次样条和bisigmoidal函数对图像进行二维内插,提出了一种适合干ASIC实现的视频格式转换的电路结构,极大地节省了存储器的容量,通过建立硬件仿真平台对不同格式视频信号进行实时转换...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 介绍了一种低功耗可编程分压电路,其静态功耗为零,输出电压不受工艺、温度影响,因此,在工程上具有广泛的应用前景.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2000年4期页码:摘要： 采用反应蒸发技术制作不掺杂In2O3透明导电薄膜,薄膜厚度为150～200nm、方块电阻为60～200Ω/□、透光率为80%～94%(波长λ＝600nm).讨论了蒸发过程氧气充入量和蒸发时间...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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