槽栅MOS器件的研究与进展

• 作者: 任红霞 郝跃
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅MOSFET 深亚微米器件 小尺寸效应 拐角效应
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 258-262
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 6040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.04.013

摘要

随着VLSI器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微米及亚0.1μm范围极具应用前景的理想结构被提了出来.文中介绍了槽栅器件提出的背景,论述了槽栅MOS器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0