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GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜
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摘要：
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立方GaAs（100）衬底上制备单相六方GaN薄膜
金属有机化学气相沉积
氮化镓
砷化镓衬底
六方结构
GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜
分子束外延
稀氮半导体
X射线衍射
拉曼光谱
GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
立方GaN
MOVPE
光辅助湿法腐蚀
在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN
GaN
MBE
γ-Al2O3
缓冲层
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物理学报
主办单位：
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1000-3290
CN：
11-1958/O4
开本：
大16开
出版地：
北京603信箱
邮发代号：
2-425
创刊时间：
1933
语种：
chi
出版文献量（篇）
23474
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