ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究

• 作者: 关德慧 孙超 肖金泉 裴志亮 谭明晖 闻立时 黄容芳
• 来源期刊: 自然科学进展
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO Al薄膜掺杂光学性能散射机制
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 392-397
• 页数: 6页
• 分类号: TG1
• 字数: 4116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-008X.2001.04.010

摘要

用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al2O3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(～5×10-4Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率＞80%;在近中红外光区,其反射率＞60%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	裴志亮	中国科学院金属研究所	19	425	12.0	19.0
4	肖金泉	中国科学院金属研究所	21	112	7.0	10.0
5	谭明晖	中国科学院金属研究所	6	132	6.0	6.0
6	关德慧	中国科学院金属研究所	5	97	4.0	5.0
7	黄容芳	中国科学院金属研究所	1	21	1.0	1.0