快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

• 作者: 卢景霄 张宇翔 杨仕娥 段启亮 王海燕 陈永生 靳瑞敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 直流反应磁控溅射 快速热退火(RTA) 传统热退火
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-23,24
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.04.006

摘要

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.