硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究

• 作者: 任天令 刘建设 刘燕翔 刘理天 李志坚 赵宏锦
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 锫钛酸铅 溶胶-凝胶 刻蚀
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 单晶.薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 290-292
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.04.013

摘要

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了PZT薄膜,在600°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构.采用典型的半导体光刻工艺,利用HCl/HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的PZT薄膜微图形.较好的解决了有关PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
4	赵宏锦	清华大学微电子学研究所	7	77	5.0	7.0
5	刘建设	清华大学微电子学研究所	15	134	7.0	11.0
6	刘燕翔	清华大学微电子学研究所	5	88	5.0	5.0