生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

• 作者: 周伟 朱作明 李国华 汪兆平 王占国 陈晔 韩和相
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 关键词: InAlAs/AlGaAs 量子点 压力 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 字数: 3517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.01.014

摘要

测量了生长在(311)A面GaAs衬底上的In0.55Al 0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验 证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能 谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁.高温下观察到的高能峰随压力增大向 高能方向移动,认为它来源于量子点中Γ能谷与价带之间的跃迁.在压力下还观察到了一个新 的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周伟	中国科学院半导体研究所	88	475	12.0	18.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
3	李国华	中国科学院半导体研究所	25	99	5.0	9.0
4	韩和相	中国科学院半导体研究所	8	9	2.0	3.0
5	陈晔	中国科学院半导体研究所	15	42	4.0	5.0
6	汪兆平	中国科学院半导体研究所	3	4	1.0	2.0
7	朱作明	中国科学院半导体研究所	2	4	1.0	2.0