硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究

• 作者: 刘超 姬成周 李国辉 杜树成
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 钨膜 离子反应刻蚀
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 191-194
• 页数: 4页
• 分类号: O484|O53
• 字数: 2061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.02.012

摘要

针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要，研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀.得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量、射频功率的关系曲线.得到了不加磁场时不同刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率，以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率.对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬成周	北京师范大学低能核物理研究所	10	28	3.0	5.0
2	李国辉	北京师范大学低能核物理研究所	12	13	2.0	3.0
3	刘超	北京师范大学低能核物理研究所	41	282	8.0	16.0
4	杜树成	北京师范大学低能核物理研究所	7	10	2.0	3.0