单电子隧穿器件的研究进展

• 作者: 何声太 张昊旭 时东霞 江鹏 高鸿钧
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单电子现象 库仑阻塞 库仑台阶
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 303-310，335
• 页数: 9页
• 分类号: O469
• 字数: 6591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.04.011

摘要

单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注.与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一.本文从单电子隧穿现象的起源入手,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展,并简述了其潜在的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧	中国科学院物理研究所	44	262	10.0	14.0
2	时东霞	中国科学院物理研究所	23	165	8.0	12.0
3	何声太	中国科学院物理研究所	5	46	3.0	5.0
4	江鹏	中国科学院物理研究所	11	64	5.0	7.0
5	张昊旭	中国科学院物理研究所	7	50	5.0	7.0