硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究

• 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiC薄膜 等离子体刻蚀(PE) 刻蚀气体
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 分类号: TQ163.4
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.02.024

摘要

用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下经SF6+O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳(C)表面的残余SiC层;而经CF4+O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关,但刻蚀后的样品表面更为细腻.文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子研究所	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
4	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0