等离子体氧化制备超薄SiO2层的性质

• 作者: 李伟 王立 蒋明 陈坤基 马忠元 鲍云 黄信凡 黄少云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄氧化 等离子氧化 SiO2
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1011-1014
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.012

摘要

利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于10nm的超薄SiO2层．通过傅里叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、椭圆偏振法和电流电压（I-V）、电容电压（C-V）测量对生成的超薄氧化层性质进行研究．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄信凡		11	88	4.0	9.0
2	李伟		61	167	6.0	10.0
3	王立		5	20	2.0	4.0
4	陈坤基		31	53	5.0	6.0
5	蒋明		14	87	6.0	8.0
6	马忠元		5	15	3.0	3.0
7	鲍云		1	5	1.0	1.0
8	黄少云		1	5	1.0	1.0