Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究

• 作者: 周湘萍 杨宇 毛旭 王勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge/Si薄膜材料 偏压 X射线小角衍射 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 614-616
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.017

摘要

利用超高真空磁控溅射系统生长了不同偏压下Ge/Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境.通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge/Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度.在加15～25V偏压时,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	毛旭	云南大学材料科学与工程系	9	71	6.0	8.0
3	周湘萍	云南大学材料科学与工程系	2	12	2.0	2.0
4	王勇	云南大学材料科学与工程系	41	32	3.0	4.0