快速退火工艺对BTO薄膜结构的影响

• 作者: 李岩 苏学军
• 来源期刊: 新技术新工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 快速退火 能谱AX
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 热加工技术
• 页码范围: 29-30
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 1594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5311.2002.11.015

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在Ts=440 ℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜(称BTO薄膜),较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李岩		68	252	9.0	11.0
2	苏学军		63	269	10.0	13.0