用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

• 作者: 刘志农 李高庆 贾宏勇 钱佩信
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 异质结双极型晶体管 微波功率放大器
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 921-924
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7+5
• 字数: 484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.09.005

摘要

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
2	贾宏勇	清华大学微电子学研究所	10	86	5.0	9.0
3	刘志农	清华大学微电子学研究所	8	63	5.0	7.0
4	李高庆	清华大学微电子学研究所	2	26	2.0	2.0