新型双环路电流型压控振荡器

• 作者: 刘飞 吉利久 王钊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 负延迟机制 CMOS 压控振荡器 相位噪声
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 305-310
• 页数: 6页
• 分类号: TN782
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.015

摘要

基于电流环振结构,同时应用了负延迟前接机制,实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构,不仅提高了压控振荡器的振荡频率,而且也优化了噪声特性.设计采用1.2μm上海贝岭Bsim CMOS工艺参数,利用Cadence Spectre工具仿真.仿真结果表明,新结构与其他结构相比在频率特性上有近200MHz的提高,噪声特性方面则有明显改进,偏移中心频率100kHz处的相位噪声为-75dbc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘飞	北京大学微电子所	37	190	10.0	12.0
2	吉利久	北京大学微电子所	47	298	11.0	15.0
3	王钊	北京大学微电子所	11	22	2.0	4.0