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射频磁控溅射CN x薄膜的结构与衬底温度关系的研究
射频磁控溅射CN x薄膜的结构与衬底温度关系的研究
作者:
姜志刚
曹培江
李俊杰
李哲奎
王欣
郑伟涛
金曾孙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CN x
射频磁控溅射
化学结合状态
摘要:
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下(ts=室温, 350, 500 ℃)于Si(001)衬底上沉积了CN x膜, 并利用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射光电子能谱(XPS)对CN x膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究. Raman光谱结果表明, 随衬底温度(ts)增加, D带向低频方向移动, G带向高频方向移动; 它们的半高宽分别由375和150 cm -1减小至328和142 cm -1; ID/IG由3 76减小至2 88. FTIR谱中除无序D带(1 400 cm -1)和石墨G带(1 570 cm -1)外, 还有~700 cm -1, ~2 210 cm -1(C≡N), 2 330 cm -1(C-O)及3 255~3 351 cm -1(N-H)等峰. XPS测试结果表明:随衬底温度增加, N与C的物质的量比由0 49下降至0 38, sp2(C-N)组分与sp3(C-N)组分强度比呈增大趋势. 低温(350 ℃)退火并未对CN x膜的化学结合状态产生较大影响; 高温(900 ℃)退火样品则显示出较好的结晶化程度.
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文献信息
篇名
射频磁控溅射CN x薄膜的结构与衬底温度关系的研究
来源期刊
高等学校化学学报
学科
物理学
关键词
CN x
射频磁控溅射
化学结合状态
年,卷(期)
2002,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
275-278
页数
4页
分类号
O484.5
字数
2659字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0251-0790.2002.02.018
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郑伟涛
吉林大学材料科学系
48
245
8.0
13.0
2
王欣
吉林大学材料科学系
171
884
14.0
22.0
3
李哲奎
延边大学理工学院物理系
10
58
5.0
7.0
4
李俊杰
吉林大学超硬材料国家重点实验室
15
122
5.0
10.0
5
姜志刚
吉林大学超硬材料国家重点实验室
21
157
6.0
12.0
6
曹培江
吉林大学超硬材料国家重点实验室
4
23
4.0
4.0
7
金曾孙
吉林大学超硬材料国家重点实验室
1
5
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(5)
同被引文献
(4)
二级引证文献
(0)
2002(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(3)
引证文献(3)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CN x
射频磁控溅射
化学结合状态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高等学校化学学报
主办单位:
中华人民共和国教育部委托
吉林大学和南开大学
出版周期:
月刊
ISSN:
0251-0790
CN:
22-1131/O6
开本:
大16开
出版地:
长春市吉林大学南湖校区
邮发代号:
12-40
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
11695
总下载数(次)
9
总被引数(次)
133912
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