射频磁控溅射CN x薄膜的结构与衬底温度关系的研究

• 作者: 姜志刚 曹培江 李俊杰 李哲奎 王欣 郑伟涛 金曾孙
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CN x 射频磁控溅射 化学结合状态
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2002.02.018

摘要

使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下(ts=室温, 350, 500 ℃)于Si(001)衬底上沉积了CN x膜, 并利用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射光电子能谱(XPS)对CN x膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究. Raman光谱结果表明, 随衬底温度(ts)增加, D带向低频方向移动, G带向高频方向移动; 它们的半高宽分别由375和150 cm -1减小至328和142 cm -1; ID/IG由3 76减小至2 88. FTIR谱中除无序D带(1 400 cm -1)和石墨G带(1 570 cm -1)外, 还有~700 cm -1, ~2 210 cm -1(C≡N), 2 330 cm -1(C-O)及3 255~3 351 cm -1(N-H)等峰. XPS测试结果表明:随衬底温度增加, N与C的物质的量比由0 49下降至0 38, sp2(C-N)组分与sp3(C-N)组分强度比呈增大趋势. 低温(350 ℃)退火并未对CN x膜的化学结合状态产生较大影响; 高温(900 ℃)退火样品则显示出较好的结晶化程度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟涛	吉林大学材料科学系	48	245	8.0	13.0
2	王欣	吉林大学材料科学系	171	884	14.0	22.0
3	李哲奎	延边大学理工学院物理系	10	58	5.0	7.0
4	李俊杰	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	122	5.0	10.0
5	姜志刚	吉林大学超硬材料国家重点实验室	21	157	6.0	12.0
6	曹培江	吉林大学超硬材料国家重点实验室	4	23	4.0	4.0
7	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	1	5	1.0	1.0