霍尔离子源制备类金刚石薄膜研究

• 作者: 孙书龙 杨会生 熊小涛 王燕斌
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 霍尔离子源 类金刚石薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 216-218,222
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.03.016

摘要

采用霍尔离子源沉积类金刚石薄膜是近年来新出现的一种方法,本文研究了自行研制的霍尔离子源的性能以及采用此离子源制备类金刚石薄膜及工艺参数的影响.结果表明,霍尔离子源在较低的电压即可起辉,可提供稳定的能量较低的离子束流.采用霍尔离子源沉积类金刚石薄膜的沉积速率约为0.5 nm/s.随着霍尔离子源灯丝电流的升高,离子源放电电压下降,制备的类金刚石薄膜的硬度下降.放电电流的变化对类金刚石薄膜的硬度影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王燕斌	北京科技大学材料物理与化学系	44	250	9.0	13.0
2	杨会生	北京科技大学材料物理与化学系	21	118	6.0	10.0
3	熊小涛	北京科技大学材料物理与化学系	14	138	8.0	11.0
4	孙书龙	北京科技大学材料物理与化学系	1	6	1.0	1.0