集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨

• 作者: 孙可平 赵俊萍
• 来源期刊: 中原工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 介质击穿机理 ESD介质击穿 集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 专题报告
• 页码范围: 19-20
• 页数: 2页
• 分类号: TN407
• 字数: 1064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6906.2003.z1.005

摘要

在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙可平	上海海运学院静电与电磁兼容研究室	7	33	3.0	5.0
2	赵俊萍	上海海运学院静电与电磁兼容研究室	1	7	1.0	1.0