基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

• 作者: 于雪峰 石寅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: D/A转换器 CMOS混合集成电路 制作工艺离散性 中心对称 Skill语言
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1211-1216
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.018

摘要

基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现.采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构与开关次序;利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法.在0.6μm N阱CMOS工艺平台下,12-bit DAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB,在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均功耗为140mW.流片一次成功,主要性能指标满足设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石寅	中国科学院半导体研究所	43	279	8.0	14.0
2	于雪峰	中国科学院半导体研究所	1	6	1.0	1.0