GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜

• 作者: 徐茵 杨大智 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlN GaN 氢等离子体清洗 氮化
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.01.008

摘要

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	26	207	8.0	13.0
4	杨大智	大连理工大学材料科学与工程系	84	1226	20.0	31.0