在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜

• 作者: 吴长树 施兆顺 涂洁磊 章晨静 陈庭金
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 分类号: TK51
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.z1.022

摘要

该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈庭金	云南师范大学太阳能研究所	42	351	10.0	17.0
2	涂洁磊	云南师范大学太阳能研究所	26	67	5.0	6.0
3	施兆顺	云南师范大学太阳能研究所	9	18	3.0	4.0
4	章晨静	云南师范大学太阳能研究所	4	7	2.0	2.0
5	吴长树	云南师范大学太阳能研究所	3	5	1.0	2.0