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摘要:
为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25>16%℃-1,Vb>180 V@mm-1.
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关键词热度
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文献信息
篇名 掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 PTCR 溶胶–凝胶法 阻温系数 掺杂
年,卷(期) 2003,(9) 所属期刊栏目 敏感元器件
研究方向 页码范围 24-26
页数 3页 分类号 TM22+.3
字数 2275字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.09.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵丽丽 西北大学电子科学系 23 84 5.0 8.0
2 畅柱国 西北大学化学系 20 175 6.0 13.0
3 熊为淼 西北大学化学系 10 50 5.0 6.0
4 吴淑荣 西北大学化学系 8 31 4.0 5.0
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节点文献
PTCR
溶胶–凝胶法
阻温系数
掺杂
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期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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31758
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