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摘要:
提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器--双极结型光栅晶体管,并建立了其解析模型.基于0.6μm CMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性,但与传统光栅器件相比,随着入射光功率的增加,双极结型光栅晶体管的光电流密度呈指数式增长,且其蓝光响应特性得到改善.
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文献信息
篇名 用于CMOS图像传感器的双极结型光栅晶体管特性的数值模拟与分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 双极结型光栅晶体管 光电检测器 CMOS图像传感器
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 250-254
页数 5页 分类号 TN303
字数 2515字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 仇玉林 中国科学院微电子中心 54 383 10.0 17.0
2 陈杰 中国科学院微电子中心 247 3126 30.0 49.0
3 金湘亮 中国科学院微电子中心 14 209 6.0 14.0
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研究主题发展历程
节点文献
双极结型光栅晶体管
光电检测器
CMOS图像传感器
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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