稀释气体对化学气相沉积SiC涂层生长行为的影响

• 作者: 刘晓阳 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀释气体 化学气相沉积 SiC涂层 生长行为
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1563-1566
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 2681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.12.025

摘要

以CH3SiCl3-H2为反应气体,采用Ar和H2作为稀释气体,在1 100℃、负压条件下,由化学气相沉积制备了SiC涂层,研究了稀释气体对涂层沉积速率、形貌以及晶体结构的影响.以Ar为稀释气体时,随着稀释气体流量的增加沉积速率迅速减小;用Ar作稀释气体制备的SiC涂层相对粗糙,随着Ar流量的增加,晶粒簇之间的空隙较大,涂层变得疏松.XRD分析表明:当稀释气体Ar流量超过200 ml/min时,涂层中除了β-SiC外,还逐渐出现了少量的α-SiC.以H2为稀释气体时,当H2流量增加到400 ml/min时,涂层的沉积速率迅速增大;以H2为稀释气体制备的SiC涂层致密、光滑,沉积的SiC涂层全部是β-SiC,且具有非常强的(111)晶面取向,涂层中无α-SiC出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0
5	刘晓阳	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	7	79	6.0	7.0