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新架构SRAM消除"软错误"威胁
新架构SRAM消除"软错误"威胁
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摘要：
推荐文章
SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
瞬时电离辐射
功能错误
敏感配置位
应用α源评估静态存储器的软错误
α源
静态存储器
软错误
65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估
质子单粒子翻转
空间辐射环境
错误率预估
一种面向 FPGA 器件软错误的 MUX结构设计
FPGA
单粒子翻转(SEU )
软错误防护
MUX
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期刊影响力
电子设计技术
主办单位：
中国电子报社
出版周期：
月刊
ISSN：
1023-7364
CN：
11-3617/TN
开本：
16开
出版地：
北京市
邮发代号：
创刊时间：
1994
语种：
chi
出版文献量（篇）
5532
总下载数（次）
6
总被引数（次）
1789
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