氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响

• 作者: 刁宏伟 孔光临 廖显伯 徐艳月 曾湘波 胡志华
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 化学
• 关键词: 非晶硅碳 氢稀释 纳米硅
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 525-532
• 页数: 8页
• 分类号: O6
• 字数: 3405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2004.05.005

摘要

用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志华	云南师范大学能源与环境科学学院	17	121	5.0	10.0
3	廖显伯	中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室	31	378	7.0	19.0
6	刁宏伟	中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室	16	222	8.0	14.0
7	曾湘波	中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室	6	81	5.0	6.0
8	孔光临	中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室	7	70	4.0	7.0