注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

• 作者: 任迪远 余学峰 崔帅 张华林
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐照 注F' NMOS 阈电压 退火 可靠性
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 586-589
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.08.006

摘要

比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能.表现为在同样辐照偏置下注F'器件比未注F'器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔帅		1	1	1.0	1.0
2	余学峰		2	5	1.0	2.0
3	任迪远		2	5	1.0	2.0
4	张华林		1	1	1.0	1.0