6H-SiC单晶的生长与缺陷

• 作者: 徐现刚 李现祥 王继扬 胡小波 董捷 蒋民华 韩荣江
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-碳化硅 微管 负晶 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 248-250,254
• 页数: 4页
• 分类号: O771|O782
• 字数: 1498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.03.007

摘要

采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸φ50.8 mm的6H-SiC单晶.利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征.采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如:负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
3	蒋民华	山东大学晶体材料国家重点实验室	109	811	14.0	23.0
4	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
5	韩荣江	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	62	4.0	7.0
6	李现祥	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	70	4.0	5.0
7	董捷	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	63	3.0	4.0