双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

• 作者: 于芳 刘忠立 昝育德 李瑞云 林兰英 王俊 王占国 王建华 王玉田 韩秀峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 CMOS SOS
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 824-830
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 5794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.016

摘要

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.