离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响

• 作者: 张峰 张昌盛 林志浪 肖海波
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 光致发光 铒 富硅氧化硅
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光束传输与控制,材料、薄膜及元器件
• 页码范围: 459-461
• 页数: 3页
• 分类号: TN252|O482.31
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.153

摘要

研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成较好的硅纳米晶,提高了Er的激发和发光效率.在T>100K时,Er发光的温度淬灭与非晶硅的含量有关,1100℃退火样品的温度淬灭效应比较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张峰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	149	3496	30.0	56.0
2	林志浪	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	6	6	1.0	2.0
3	肖海波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	4	16	2.0	4.0
4	张昌盛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室	7	52	3.0	7.0