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衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
作者:
夏姣贞
潘孝任
阴其俊
陆慧
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO薄膜
衬底温度
晶体结构
应力
阻抗谱
摘要:
由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、 AFM、 XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底温度大于50 ℃时,由GDARE法可沉积出具有一定c轴取向的ZnO薄膜.随衬底温度的升高,薄膜沿c轴择优生长趋势明显增强,内应力减小,晶界效应增强,晶界电阻增大.衬底温度大于100 ℃后,沿c轴的取向度增强趋势减缓.在衬底温度180~200 ℃时,可获得高度c轴取向的ZnO超细微粒薄膜,其结晶性能良好,表面光滑,平均粒径30~40 nm,晶粒尺寸均匀,晶形规则,沿c轴的内应力很小,取向度达0.965.此时薄膜的晶界效应增强,晶界电阻明显大于室温下沉积的薄膜,而晶粒电阻所占比例很小,总阻抗以晶界电阻为主.同时还讨论了衬底温度对薄膜晶体结构及晶界特性的影响机理.
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文献信息
篇名
衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
来源期刊
化学物理学报
学科
物理学
关键词
ZnO薄膜
衬底温度
晶体结构
应力
阻抗谱
年,卷(期)
2005,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1034-1038
页数
5页
分类号
O484.4
字数
2790字
语种
英文
DOI
10.3969/j.issn.1674-0068.2005.06.037
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陆慧
华东理工大学物理系
20
99
6.0
9.0
2
阴其俊
华东理工大学物理系
11
36
4.0
5.0
3
夏姣贞
华东理工大学物理系
2
11
2.0
2.0
4
潘孝任
华东理工大学物理系
1
6
1.0
1.0
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2005(0)
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二级参考文献(0)
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引证文献(2)
二级引证文献(0)
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二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
衬底温度
晶体结构
应力
阻抗谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
化学物理学报(英文版)
主办单位:
中国物理学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1674-0068
CN:
34-1295/O6
开本:
大16开
出版地:
合肥中国科学技术大学化学物理学报编辑部
邮发代号:
创刊时间:
1988
语种:
eng
出版文献量(篇)
2451
总下载数(次)
0
总被引数(次)
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