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摘要:
采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2:Sb)透明导电薄膜.利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试.讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值.当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70 %,电阻率为2.5×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.2×1021 cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2·V-1·s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求.
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文献信息
篇名 射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究
来源期刊 液晶与显示 学科 物理学
关键词 射频磁控溅射 透明导电薄膜 光电性能 氧气分压
年,卷(期) 2005,(5) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 406-411
页数 6页 分类号 O484.4
字数 4421字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.010
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈甲林 1 23 1.0 1.0
2 赵青南 1 23 1.0 1.0
3 张君 1 23 1.0 1.0
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射频磁控溅射
透明导电薄膜
光电性能
氧气分压
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
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7
总被引数(次)
21631
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