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摘要:
调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.
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文献信息
篇名 ZnO同质p-n结的研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 同质 p-n结 p型
年,卷(期) 2005,(z1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 101-104
页数 4页 分类号 TN304.2+1|O475|O432.1+2
字数 3527字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢家纯 中国科技大学物理系 5 20 3.0 4.0
2 徐军 中国科技大学物理系 4 21 4.0 4.0
3 许小亮 中国科技大学物理系 45 402 12.0 18.0
7 杨晓杰 中国科技大学物理系 1 4 1.0 1.0
8 徐传明 中国科技大学物理系 1 4 1.0 1.0
12 刘洪图 中国科技大学物理系 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
同质
p-n结
p型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
出版文献量(篇)
4084
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19905
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