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摘要:
介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
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文献信息
篇名 AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析
来源期刊 华南师范大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 AlGaInP/GaAs X射线衍射 倒易点二维图
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 55-59
页数 5页 分类号 TN209
字数 3080字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5463.2005.01.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范广涵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 147 1064 16.0 26.0
2 陈贵楚 华南师范大学光电子材料与技术研究所 18 46 5.0 6.0
3 陈练辉 华南师范大学光电子材料与技术研究所 11 27 3.0 4.0
4 李华兵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 6 6 2.0 2.0
5 吴文光 华南师范大学光电子材料与技术研究所 6 6 2.0 2.0
6 王浩 华南师范大学光电子材料与技术研究所 14 108 5.0 10.0
传播情况
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaInP/GaAs
X射线衍射
倒易点二维图
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华南师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-5463
44-1138/N
16开
广州市石牌华南师范大学
1956
chi
出版文献量(篇)
2704
总下载数(次)
9
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