电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响

• 作者: 任慧志 侯国付 张晓丹 耿新华 薛俊明 赵颖 郭群超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 网状电极 硅薄膜 均匀性 等离子体的发光光谱
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1353-1358
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.013

摘要

在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%.等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度.文中对实验结果进行了详细的讨论.