MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

• 作者: 吉争鸣 吴培亨 康琳 施建荣 蔡卫星 赵少奇 陈亚军
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: NbN AlN 磁控溅射 XRD c轴取向
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 207-210
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.004

摘要

在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	陈亚军	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	28	116	7.0	9.0
3	康琳	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	赵少奇	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	5	49	3.0	5.0
5	吉争鸣	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	36	111	6.0	9.0
6	施建荣	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	4	17	2.0	4.0
7	蔡卫星	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	6	19	2.0	4.0