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摘要:
从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理.提出原理设计中的原则和相关问题.
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文献信息
篇名 晶片减薄技术原理概况
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 晶片减薄 减薄技术 减薄工艺 减薄原理
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 专题报道
研究方向 页码范围 22-26
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 4940字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.06.007
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电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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